Veröffentlichungen "Nehmer, Dominik"

Artikel in einer Zeitschrift

Gleißner, Michael ; Nehmer, Dominik ; Bakran, Mark-M.:
Junction Temperature Measurement Based on the Internal Gate Resistance for a Wide Range of Power Semiconductors.
In: IEEE Open Journal of Power Electronics. Bd. 4 (2023) . - S. 293-305.
ISSN 2644-1314
DOI: https://doi.org/10.1109/OJPEL.2023.3265850

Veranstaltungsbeitrag

Nehmer, Dominik ; Hepp, Maximilian ; Wondrak, Wolfgang ; Bakran, Mark-M.:
The Performance of a GaN eMode HEMT in Surge Current Scenarios such as the Active Short Circuit.
2024
Veranstaltung: PCIM Europe 2024 , 11.-13.06.2024 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Nehmer, Dominik ; Hepp, Maximilian ; Wondrak, Wolfgang ; Bakran, Mark-M.:
A Comparison of GaN HEMT and SiC MOSFET Power Inverter Modules for Electric Vehicles (EV).
2023
Veranstaltung: PCIM Europe 2023 , 09.05.-11.05.2023 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Nehmer, Dominik ; Hepp, Maximilian ; Wondrak, Wolfgang ; Bakran, Mark-M.:
Switching a eMode GaN HEMT under conditions of an inverter module for electrical vehicles (EV).
2023
Veranstaltung: 25th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE 2023) , 04.09.-08.09.2023 , Aalborg, Dänemark.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Nehmer, Dominik ; Gleißner, Michael ; Bergmann, Lukas:
Method to analyze the influence of switching behavior in hard switching half bridge topologies for traction application.
2022
Veranstaltung: EPE 2022 ECCE Europe , 05.-09.09.2022 , Hannover.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )