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Differences in dimensioning SiC MOSFETs and Si IGBTs for Traction Inverters

Titelangaben

Kestler, Tobias ; Damec, Vladislav ; Bakran, Mark-M.:
Differences in dimensioning SiC MOSFETs and Si IGBTs for Traction Inverters.
2018
Veranstaltung: EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics and Applications , 17.09.-21.09.2018 , Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

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Abstract

This paper describes, how the dimensioning of SiC MOSFETs and Si IGBTs for light railway differs in
various aspects due to their specific electrical and thermal properties. Instead of comparing IGBT and
SiC modules with the same nominal current, the output current during a load cycle is scaled to identify
the maximum output capability for a given power cycling lifetime. Furthermore, it is shown which
specific properties of the SiC MOSFET lead to the significantly increased current density in comparison
to Si IGBT modules.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Nov 2018 09:14
Letzte Änderung: 13 Nov 2018 09:19
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46299