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Switching SiC MOSFETs under conditions of a high power module

Titelangaben

Maier, Robert ; Bakran, Mark-M.:
Switching SiC MOSFETs under conditions of a high power module.
2018
Veranstaltung: EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics and Applications , 17.09.-21.09.2018 , Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

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Abstract

This paper discusses the investigation of SiC MOSFET switching characteristic in high inductive environment.
The characteristic product of stray-inductance times nominal current grows with the power
rating and is a limiting factor for the speed of current commutation. The reduction of switching speed
due to this limit and its impact on switching performance is evaluated. Furthermore this paper proposes
a, according to the author’s knowledge, novel benchmark for characterisation and comparison of SiC
MOSFET switching behaviour.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Nov 2018 09:17
Letzte Änderung: 13 Nov 2018 09:17
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46300