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Junction Temperature Measurement of SiC MOSFETs : Straightforward as it seems?

Titelangaben

Kestler, Tobias ; Bakran, Mark-M.:
Junction Temperature Measurement of SiC MOSFETs : Straightforward as it seems?
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018 , 05.06.-07.06.2018 , Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

Reliable measurement of the junction temperature
Tj is essential for the application of power semiconductors.
Similar to the IGBT’s Vce-method, for SiC
MOSFETs the voltage drop over the body diode can
be used for Tj acquisition. This method is validated
for different devices with consideration of the gate
voltage’s and measuring current’s influence. Furthermore,
the applicability of the Rgi-method, which
also works in switching operation and utilizes the
temperature coefficient of the internal gate resistance,
is evaluated for SiC MOSFETS.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Nov 2018 10:00
Letzte Änderung: 13 Nov 2018 10:00
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46308