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Kestler, Tobias ; Bakran, Mark-M.:
Junction Temperature Measurement of SiC MOSFETs : Straightforward as it seems?
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018
, 05.06.-07.06.2018
, Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
Reliable measurement of the junction temperature
Tj is essential for the application of power semiconductors.
Similar to the IGBT’s Vce-method, for SiC
MOSFETs the voltage drop over the body diode can
be used for Tj acquisition. This method is validated
for different devices with consideration of the gate
voltage’s and measuring current’s influence. Furthermore,
the applicability of the Rgi-method, which
also works in switching operation and utilizes the
temperature coefficient of the internal gate resistance,
is evaluated for SiC MOSFETS.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Nov 2018 10:00 |
| Letzte Änderung: | 13 Nov 2018 10:00 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46308 |