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Gleißner, Michael ; Bakran, Mark-M.:
Special Effects of Junction Temperature Measurement based on the Internal Gate Resistance.
2022
Veranstaltung: PCIM Europe 2022
, 10.05.-12.05.2022
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
DOI: https://doi.org/10.30420/565822060
Abstract
This paper discusses two problems and possible solutions for measuring the junction temperature of semiconductor switches using the internal gate resistor as temperature sensitive electric parameter. On the one hand, the dependency of the gate impedance on the blocking voltage and the negative gate voltage is analyzed, which can influence the temperature measurement. On the other hand, neighboring switching phases in converter operation can cause faulty temperature measurement values due to EMI coupling in the measuring circuit. An elimination method for both effects is presented.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 29 Jul 2022 08:06 |
| Letzte Änderung: | 29 Jul 2022 08:06 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/71262 |