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Special Effects of Junction Temperature Measurement based on the Internal Gate Resistance

Titelangaben

Gleißner, Michael ; Bakran, Mark-M.:
Special Effects of Junction Temperature Measurement based on the Internal Gate Resistance.
2022
Veranstaltung: PCIM Europe 2022 , 10.05.-12.05.2022 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )
DOI: https://doi.org/10.30420/565822060

Abstract

This paper discusses two problems and possible solutions for measuring the junction temperature of semiconductor switches using the internal gate resistor as temperature sensitive electric parameter. On the one hand, the dependency of the gate impedance on the blocking voltage and the negative gate voltage is analyzed, which can influence the temperature measurement. On the other hand, neighboring switching phases in converter operation can cause faulty temperature measurement values due to EMI coupling in the measuring circuit. An elimination method for both effects is presented.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 29 Jul 2022 08:06
Letzte Änderung: 29 Jul 2022 08:06
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/71262