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Evaluation of Active Gate Drivers with Switchable Gate Resistors and Intermediate Voltage Levels for SiC MOSFETs in WLTC

Titelangaben

Frank, Michael:
Evaluation of Active Gate Drivers with Switchable Gate Resistors and Intermediate Voltage Levels for SiC MOSFETs in WLTC.
2024
Veranstaltung: PCIM Europe 2024 , 11.-13.06.2024 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )
DOI: https://doi.org/10.30420/566262092

Abstract

This paper explores the impact of employing an intermediate gate voltage level in an active gate driver
on the performance of a SiC MOSFET inverter during the Worldwide Harmonized Light Vehicles Test
Cycle (WLTC) class 3. It evaluates the effectiveness of this gate driving approach compared to a gate
driving method employing switchable gate resistors. The study includes detailed loss calculations that are
substantiated through experimental verification using an H-bridge in continuous operation mode.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 19 Jul 2024 08:43
Letzte Änderung: 30 Sep 2024 08:14
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/90000