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Frank, Michael J.:
Evaluation of Active Gate Drivers with Switchable Gate Resistors and Intermediate Voltage Levels for SiC MOSFETs in WLTC.
2024
Veranstaltung: PCIM Europe 2024
, 11.-13.06.2024
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
DOI: https://doi.org/10.30420/566262092
Abstract
This paper explores the impact of employing an intermediate gate voltage level in an active gate driver
on the performance of a SiC MOSFET inverter during the Worldwide Harmonized Light Vehicles Test
Cycle (WLTC) class 3. It evaluates the effectiveness of this gate driving approach compared to a gate
driving method employing switchable gate resistors. The study includes detailed loss calculations that are
substantiated through experimental verification using an H-bridge in continuous operation mode.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 19 Jul 2024 08:43 |
| Letzte Änderung: | 19 Jul 2024 08:43 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/90000 |