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Bertelshofer, Teresa ; März, Andreas ; Bakran, Mark-M.:
Derating of parallel SiC MOSFETs considering switching imbalances.
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018
, 05.-07.06.2018
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
This paper presents a numerical method used
to analyse the parallel connection of several SiC
MOSFET dies. Parallel connection is necessary to
achieve the desired current carrying capability of
main inverters for xEV-drives. With this method the
effect of asymmetries within the chips’ parameters,
especially the threshold voltage, are investigated.
The investigation results quantify to what extent the
PTC behaviour of the on-state resistance can mitigate
the overheating of one chip caused by switching
loss imbalance. The results are used to define
the necessary derating of the inverter output power,
so that no single chip is thermally overstressed.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Nov 2018 09:36 |
| Letzte Änderung: | 09 Jan 2023 12:49 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/46303 |