bei Google ScholarTitelangaben
Hofstetter, Patrick ; Maier, Robert ; Bakran, Mark-M.:
Influence of the Threshold Voltage Hysteresis and the Drain Induced Barrier Lowering on the Dynamic Transfer Characteristic of SiC Power MOSFETs.
2019
Veranstaltung: APEC 2019
, 17.03.-21.03.2019
, Anaheim, USA.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
This paper focuses on dynamic transfer characteristics of SiC MOSFETs, which are derived from the actual switching operation and are different from the usual static characteristics. A new approach to measure the parasitic common source elements is shown, using a non-harmful short circuit pulse. This is important for the correction of the measured gate source voltage, especially in packages without Kelvin source. The resulting transfer characteristics show the threshold voltage hysteresis of SiC MOSFETs and additionally the interaction with the drain induced barrier lowering (DIBL) effect. Finally, the effect of different off-state times on the transfer characteristics and the turn-on process is shown.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Jun 2019 07:01 |
| Letzte Änderung: | 13 Jun 2019 07:01 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/49480 |