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Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Challenging the 2D-Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs.
2019
Veranstaltung: PCIM Europe 2019
, 07.05.-09.05.2019
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
After proving the potential of the 2D-short circuit detection method for SiC MOSFETs in the preceding work [1], this paper aims to test worst case application conditions and to further develop the protection system. Besides investigations on temperature influences and low inductive setups, it is shown how to cope with oscillations on the drain current with different circuit extensions. These may even occur during conductive state, due to the switching of adjacent phases.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Jun 2019 07:38 |
| Letzte Änderung: | 13 Jun 2019 07:38 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/49489 |