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Ciocoveanu, Radu ; Weigel, Robert ; Hagelauer, Amelie ; Issakov, Vadim:
Bias-switched Down-Conversion Mixer for Flicker Noise Reduction in 28-nm CMOS.
In:
Texas Symposium on Wireless and Microwave Circuits and Systems : Proceedings. -
Waco, Texas
,
2018
ISBN 978-1-5386-4918-3
DOI: https://doi.org/10.1109/WMCaS.2018.8400634
Abstract
This paper presents a modified Gilbert-cell mixer employing a novel biasing-scheme used to reduce the high Noise Figure, due to inherently high 1/f noise of MOS transistors. Switching the transistor from strong inversion to accumulation interferes with the self-correlation of the physical noisy process, which leads to a reduction in flicker noise. To illustrate this improvement, a comparison with a conventionally biased mixer is carried. Post-layout simulation results show that this mixer achieves a voltage conversion gain of 2.2 dB, a 1 dB compression point of 3 dBm and a 5 dB reduction in noise figure at 50 kHz, while it draws a current of 13 mA from a single 0.9 V supply. The occupied chip area is 0.5x0.94 mm². According to author’s knowledge this is the first time that bias switching technique is applied to a mixer at mm-wave frequencies.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Aufsatz in einem Buch |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren > Lehrstuhl Kommunikationselektronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Amélie Marietta Hagelauer Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Kommunikationselektronik Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren |
| Titel an der UBT entstanden: | Nein |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 18 Okt 2019 09:32 |
| Letzte Änderung: | 14 Jul 2020 11:25 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/52556 |