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Aguilar Mendoza, Erick ; Hagelauer, Amelie ; Kissinger, Dietmar ; Weigel, Robert:
A Low-Power Wideband D-Band LNA in a 130 nm BiCMOS Technology for Imaging Applications.
In:
IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems : Proceedings. -
Anaheim, USA
,
2018
. - S. 27-29
ISBN 978-1-5386-1298-9
DOI: https://doi.org/10.1109/SIRF.2018.8304220
Abstract
A Low-power D-Band Low Noise Amplifier (LNA) manufactured in a recent 130 nm SiGe BiCMOS process for imaging applications is presented. The architecture consists of an optimized 3-stage cascode amplifier which achieves a maximum gain of 32.8 dB and a gain>20 dB in the frequency range from 121 to 161 GHz with a DC power consumption of 39.6 mW. The simulated noise figure varies from 6 to 9.7 dB within the range 130 to 140 GHz. To the best of the author’s knowledge, the presented work exhibits the highest gain-bandwidth product with the lowest power consumption for a D-Band amplifier in a 130 nm SiGe technology.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Aufsatz in einem Buch |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Keywords: | D-Band; Imaging; Radiometrie; LNA; SiGe; mm-wave |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren > Lehrstuhl Kommunikationselektronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Amélie Marietta Hagelauer Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Kommunikationselektronik Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren |
| Titel an der UBT entstanden: | Nein |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 16 Okt 2019 06:55 |
| Letzte Änderung: | 16 Jul 2020 12:53 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/52662 |