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Ciocoveanu, Radu ; Weigel, Robert ; Hagelauer, Amelie ; Issakov, Vadim:
A 60 GHz 30.5% PAE Differential Stacked PA with Second Harmonic Control in 45 nm PD-SOI CMOS.
In:
2019 IEEE 19th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF). -
Piscataway, NJ
: IEEE
,
2019
. - S. 70-72
ISBN 978-1-5386-5950-2
DOI: https://doi.org/10.1109/SIRF.2019.8709143
Abstract
This paper presents a 60GHz highly efficient single-stage differential stacked Class AB power amplifier (PA) with second harmonic control. The circuit has been realized in a 45 nm PD-SOI CMOS technology. Measurement results show that the power amplifier achieves a maximum output power (Pmax) of 15.3dBm with a competitive maximum power-added efficiency (PAEmax) of 30.5 at 60 GHz. The output-referred 1-dB compression point (OP1dB) is 9.5 dBm. Furthermore, the circuit draws 40mA from a 1.8V supply and the chip core size is 0.36mm x 0.35 mm.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Aufsatz in einem Buch |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Keywords: | Power Amplifier; High-Power; High-Efficiency; PD-SOI |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren > Lehrstuhl Kommunikationselektronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Amélie Marietta Hagelauer Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Kommunikationselektronik Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren |
| Titel an der UBT entstanden: | Nein |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 16 Okt 2019 12:51 |
| Letzte Änderung: | 16 Okt 2019 12:51 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/52697 |