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Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Mitigating Drain Source Voltage Oscillation for SiC Power MOSFETs in order to reduce Electromagnetic Interference.
2019
Veranstaltung: 21th European Conference on Power Electronics and Applications
, 02.09.-06.09.2019
, Genua, Italien.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper various approaches are shown to mitigate drain source voltage oscillation at SiC MOSFET turn-off. At first, a MOSFET behavior model is presented and confirmed with measurement results.
Based on this model, the suitability of oscillation mitigation methods is evaluated regarding effect, timing requirement and switching losses.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 11 Feb 2020 07:51 |
| Letzte Änderung: | 11 Feb 2020 07:51 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/54317 |