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The Benefit of Using an IGBT with a High Desaturation Current

Titelangaben

Hain, Stefan ; Bakran, Mark-M.:
The Benefit of Using an IGBT with a High Desaturation Current.
2017
Veranstaltung: 19th European Conference on Power Electronics and Applications , 11-14 September 2017 , Warschau, Polen.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Abstract

Increasing the channel width of an IGBT is an obvious way to lower the Vce;sat value without any influences on the switching losses of the device. Consequently, the achievable benefit of IGBTs is limited due to the corresponding increase of the desaturation current, which threaten the short circuit robustness.
This paper presents the benefits of an IGBT which could be realized, if the feature of a low desaturation current is abandoned and the channel width is increased to a maximum.

Weitere Angaben

Publikationsform: Veranstaltungsbeitrag (Paper)
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > ZET - Zentrum für Energietechnik
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik
Profilfelder
Profilfelder > Advanced Fields
Profilfelder > Emerging Fields
Forschungseinrichtungen
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 13 Feb 2020 06:25
Letzte Änderung: 09 Jan 2023 12:20
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/54334