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Hain, Stefan ; Bakran, Mark-M.:
The Benefit of Using an IGBT with a High Desaturation Current.
2017
Veranstaltung: EPE 2017 ECCE Europe : 19th European Conference on Power Electronics and Applications
, 11.09.2017 - 14.09.2017
, Warschau, Polen.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
Increasing the channel width of an IGBT is an obvious way to lower the Vce;sat value without any influences on the switching losses of the device. Consequently, the achievable benefit of IGBTs is limited due to the corresponding increase of the desaturation current, which threaten the short circuit robustness.
This paper presents the benefits of an IGBT which could be realized, if the feature of a low desaturation current is abandoned and the channel width is increased to a maximum.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET Fakultäten Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 13 Feb 2020 06:25 |
| Letzte Änderung: | 27 Jun 2024 13:23 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/54334 |