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Impact Of High Sc Content On Crystal Morphology And RF Performance Of Sputtered Al1-xScxN SMR BAW

Titelangaben

Bogner, Andreas ; Timme, Hans-Jörg ; Bauder, Rüdiger ; Mutzbauer, Angelika ; Pichler, Diana ; Krenzer, Michael ; Reccius, Christian ; Weigel, Robert ; Hagelauer, Amelie:
Impact Of High Sc Content On Crystal Morphology And RF Performance Of Sputtered Al1-xScxN SMR BAW.
In: 2019 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS). - Piscataway, NJ , 2019 . - S. 706-709
ISBN 978-1-7281-4596-9
DOI: https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2019.8925777

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Abstract

Applications using BAW devices benefit from large intrinsic electromechanical coupling materials, e.g. Al 1-x Sc x N. This work reports BAW-SMRs using high piezoelectric Al 1-x Sc x N and investigates the relations between Sc content, crystal morphology and resonator RF performance. Finally, key requirements for high quality Al 1-x Sc x N thin-film growth are analyzed and discussed examplary for x = 20at.-%.

Weitere Angaben

Publikationsform: Aufsatz in einem Buch
Begutachteter Beitrag: Ja
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren > Lehrstuhl Kommunikationselektronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Amélie Marietta Hagelauer
Fakultäten
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Kommunikationselektronik
Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Ehemalige Professoren
Titel an der UBT entstanden: Nein
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 19 Nov 2020 08:59
Letzte Änderung: 17 Okt 2022 11:20
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/57365