Titelangaben
Li, Zheming ; Maier, Robert ; Bakran, Mark-M. ; Domes, Daniel ; Niedernostheide, Franz-J.:
How to Turn off SiC MOSFET with Low Losses and Low EMI Across the Full Operating Range.
2021
Veranstaltung: PCIM Europe digital days 2021
, 3-7 May 2021
.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
Abstract
In this paper, a solution consisting of two approaches is shown to turn-off SiC MOSFET with low losses and low EMI across the full operating range. At first, one approach called “boost-method” is presented. It is confirmed with measurements that with the boost-method low switching losses and low EMI can be realized simultaneously at a certain operating point with its corresponding optimum setting. Then it is verified with mathematical derivation and simulation whether the varying optimum settings caused by varying operating conditions can be realized by using the other approach called “tracking method”. Finally, the performance of this solution in the driving cycle of different applications is evaluated.
Weitere Angaben
Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
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Begutachteter Beitrag: | Nein |
Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Institute in Verbindung mit der Universität > TechnologieAllianzOberfranken (TAO) Fakultäten Profilfelder Profilfelder > Advanced Fields Profilfelder > Emerging Fields Forschungseinrichtungen Forschungseinrichtungen > Institute in Verbindung mit der Universität |
Titel an der UBT entstanden: | Ja |
Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
Eingestellt am: | 08 Jul 2021 08:50 |
Letzte Änderung: | 08 Jul 2021 08:50 |
URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/65124 |