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Anwendbarkeit der thermischen Impedanzspektroskopie durch Gatespannungsvariation für IGBTs und SiC-MOSFETs

Titelangaben

Soller, Florian:
Anwendbarkeit der thermischen Impedanzspektroskopie durch Gatespannungsvariation für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Bayreuth , 2024
(Masterarbeit, 2024, Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl für Mechatronik)

Weitere Angaben

Publikationsform: Master-, Magister-, Diplom- oder Zulassungsarbeit (Masterarbeit)
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 21 Jun 2024 06:16
Letzte Änderung: 21 Jun 2024 06:16
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/89802