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Anwendbarkeit der thermischen Impedanzspektroskopie durch Gatespannungsvariation für IGBTs und SiC-MOSFETs

Title data

Soller, Florian:
Anwendbarkeit der thermischen Impedanzspektroskopie durch Gatespannungsvariation für IGBTs und SiC-MOSFETs.
Bayreuth , 2024
(Master's, 2024, Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl für Mechatronik)

Further data

Item Type: Master's, Magister, Diploma, or Admission thesis (Master's)
Institutions of the University: Faculties > Faculty of Engineering Science > Chair Mechatronics > Chair Mechatronics - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profile Fields > Advanced Fields > Advanced Materials
Profile Fields > Emerging Fields > Energy Research and Energy Technology
Research Institutions > Research Units > Zentrum für Energietechnik - ZET
Result of work at the UBT: Yes
DDC Subjects: 600 Technology, medicine, applied sciences > 620 Engineering
Date Deposited: 21 Jun 2024 06:16
Last Modified: 21 Jun 2024 06:16
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/89802