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Gleißner, Michael ; Bürger, Matthias ; Bakran, Mark-M.:
Junction Temperature Measurement of a 3.3 kV Silicon Carbide MOSFET Power Module.
2024
Veranstaltung: PCIM Europe 2024
, 11.-13.06.2024
, Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung
,
Paper
)
DOI: https://doi.org/10.30420/566262397
Abstract
The static temperature distribution in a 3.3 kV SiC MOSFET power module with several parallel chips
depending on power loss is examined using an infrared temperature camera. Moreover, the dynamic
infrared temperature curves are compared with the junction temperature measurement based on the internal
gate resistance and forward voltage of the body diode as temperature-sensitive electrical parameters.
The thermal impedance measurements with these three different temperature sensors are compared.
Moreover, the influence of different chip temperatures on lifetime simulation is investigated.
Weitere Angaben
| Publikationsform: | Veranstaltungsbeitrag (Paper) |
|---|---|
| Begutachteter Beitrag: | Ja |
| Institutionen der Universität: | Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET |
| Titel an der UBT entstanden: | Ja |
| Themengebiete aus DDC: | 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften |
| Eingestellt am: | 19 Jul 2024 08:50 |
| Letzte Änderung: | 19 Jul 2024 08:50 |
| URI: | https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/90001 |