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Einsatz von Siliciumcarbid-Halbleitern in Hochleistungsumrichtern der Hochspannungsgleichstromübertragung

Titelangaben

Bergmann, Lukas:
Einsatz von Siliciumcarbid-Halbleitern in Hochleistungsumrichtern der Hochspannungsgleichstromübertragung.
Bayreuth : Dr. Hut , 2025 . - 259 S.
ISBN 978-3-8439-5585-0
( Dissertation, 2025, Universität Bayreuth)

Weitere Angaben

Publikationsform: Dissertation
Institutionen der Universität: Fakultäten > Fakultät für Ingenieurwissenschaften > Lehrstuhl Mechatronik > Lehrstuhl Mechatronik - Univ.-Prof. Dr.-Ing. Mark-M. Bakran
Profilfelder > Advanced Fields > Neue Materialien
Profilfelder > Emerging Fields > Energieforschung und Energietechnologie
Forschungseinrichtungen > Forschungsstellen > Zentrum für Energietechnik - ZET
Titel an der UBT entstanden: Ja
Themengebiete aus DDC: 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Eingestellt am: 18 Mär 2025 07:31
Letzte Änderung: 18 Mär 2025 07:31
URI: https://eref.uni-bayreuth.de/id/eprint/92878