Veröffentlichungen "Hofstetter, Patrick"

Artikel in einer Zeitschrift

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
The Two-Dimensional Short-Circuit Detection Protection For SiC MOSFETs in Urban Rail Transit Application.
In: IEEE Transactions on Power Electronics. Bd. 35 (2020) Heft 6 . - S. 5692-5701.
ISSN 1941-0107
DOI: https://doi.org/10.1109/TPEL.2019.2950966

Aufsatz in einem Buch

Lurz, Fabian ; Hofstetter, Patrick ; Lindner, Stefan ; Linz, Sarah ; Michler, Fabian ; Weigel, Robert ; Koelpin, Alexander:
Low-Power Frequency Synthesizer for Multi-Tone Six-Port Radar.
In: 2018 IEEE Topical Conference on Wireless Sensors and Sensor Networks. - Piscataway, NJ : IEEE , 2018 . - S. 84-87
ISBN 978-1-5386-1286-6
DOI: https://doi.org/10.1109/WISNET.2018.8311571

Veranstaltungsbeitrag

Hofstetter, Patrick ; Maier, Robert ; Bakran, Mark-M.:
Parasitic Turn-On of SiC MOSFETs – Turning a Bug into a Feature.
2020
Veranstaltung: PCIM Europe 2020 , 7.-8. Juli 2020 , Online.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Challenging the 2D-Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs.
2019
Veranstaltung: PCIM Europe 2019 , 07.05.-09.05.2019 , Nürnberg.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Hofstetter, Patrick ; Maier, Robert ; Bakran, Mark-M.:
Influence of the Threshold Voltage Hysteresis and the Drain Induced Barrier Lowering on the Dynamic Transfer Characteristic of SiC Power MOSFETs.
2019
Veranstaltung: APEC 2019 , 17.03.-21.03.2019 , Anaheim, USA.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Mitigating Drain Source Voltage Oscillation for SiC Power MOSFETs in order to reduce Electromagnetic Interference.
2019
Veranstaltung: 21th European Conference on Power Electronics and Applications , 02.09.-06.09.2019 , Genua, Italien.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Hofstetter, Patrick ; Hain, Stefan ; Bakran, Mark-M.:
Applying the 2D-Short Circuit Detection Method to SiC MOSFETs including an advanced Soft Turn Off.
2018
Veranstaltung: PCIM Europe 2018 , 05.06.-07.06.2018 , Nürnberg, Deutschland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Comparison of the Surge Current Ruggedness between the Body Diode of SiC MOSFETs and Si Diodes for IGBT.
2018
Veranstaltung: CIPS 2018 , 20.03.-22.03.2018 , Stuttgart.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Hofstetter, Patrick ; Bakran, Mark-M.:
Predicting Failure of SiC MOSFETs under Short Circuit and Surge Current Conditions with a single Thermal Model.
2018
Veranstaltung: EPE 2018 : 20th European Conference on Power Electronics and Applications , 17.09.-21.09.2018 , Riga, Lettland.
(Veranstaltungsbeitrag: Kongress/Konferenz/Symposium/Tagung , Paper )

Dissertation

Hofstetter, Patrick:
Hochausnutzung von Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren in Traktionsumrichtern.
Bayreuth , 2020
( Dissertation, 2020, Universität Bayreuth, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Lehrstuhl Mechatronik)